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單層芯片電容的制備
發布者 : admin 發布時間 : 2021/10/27 09:10:02


為適應電子元件微型化、集成化以及高頻化發展趨勢,單層芯片電容(SLC,Single Layer Capacitor)受到越來越多的青睞。單層芯片電容的結構包括單層陶瓷介質層和分別位于陶瓷介質層相對的兩個表面的上電極層和下電極層。與多層芯片電容相比,單層芯片電容在工作時的電流路徑更遠,在射頻、微波下的等效串聯電阻和等效串聯電感更低,從而具有更高的自諧振頻率和品質因數。

但是,單層芯片電容厚度薄,采用現有的燒結工藝容易發生變形問題,影響成品平整度和性能。現有的加工電極層工藝一般是厚膜印刷電路方式,加工得到的電極層難以實現超薄的厚度,不利于實現單層芯片電容的微型化,而且電極材料損耗較大。采用一般的機械切割方式極易使芯片電容碎裂,成品率低。為了解決上述問題,廣東愛晟電子科技有限公司為大家介紹一種款單層芯片電容,其性能優良,成品率高。

該單層芯片電容的制備方法,包括瓷漿制備、陶瓷生片制備、燒結、清洗、附著電極層、切割。其中,燒結曲線由升溫排膠段、快速升溫段、高溫段、保溫段、降溫段組成。室溫至400℃為升溫排膠段,升溫速率控制在0.8~1.5℃/min;400℃~1000℃為快速升溫段,升溫速率控制在3.5~5℃/min;1000℃至最高燒溫為高溫段,升溫速率控制在2~3℃/min;溫度達到最高燒溫時進入保溫段,最高燒溫為1250~1320℃,保溫時間為2~3小時;降溫段的降溫速率控制在4~5℃/min。電極層通過真空濺射工藝在陶瓷介質主體的上、下表面分別附著單層或多層金屬電極層;真空濺射時,真空度控制在5×10-3×10-3Pa,溫度控制在常溫至60℃,靶材濺射電流控制在1A-5A。切割采用激光切割,激光切割的切割速率為100mm~200mm/s,功率為5~12W,重復切割次數為1~4次。

這款單層芯片電容厚度薄、尺寸小,并具有超低的串聯等效電阻和串聯等效電感,可被應用于混合微波集成電路、單片微波集成電路等。該單層芯片電容通過采用真空濺射工藝加工電極層,各電極層間均保證良好的接觸,使產品具有超低的ESR值,能顯著提高微波電路的有效增益,降低插入損耗。真空濺射工藝得到的電極層極薄,給產品厚度帶來的增加幾乎可忽略,滿足單層芯片電容的微型化要求,并節約電極材料。通過采用激光切割方式切割芯片電容,可根據所需要的外圍尺寸設定切割步距,精度高且芯片電容不易碎裂,有效解決一般機械切割方式易損傷單層芯片電容的問題。





參考數據:

CN102013320A《一種單層芯片電容及其制備方法》

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