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技術支持
單層芯片電容的焊接
發布者 : admin 發布時間 : 2021/08/24 09:08:56


SLC單層芯片電容具有體積小、容量大、應用頻率高等特點,被廣泛應用于電子、雷達、導航和衛星通訊等方面。傳統的單層芯片電容中間為介質層,上下各一層電極層,下電極采用金錫合金或鉛錫合金等焊料焊接于電路中,上電極采用金絲鍵合技術與其他電路元件相連。

目前,單層芯片電容金錫焊料的制備工藝,要么材料利用率低,大大增加了生產成本;要么工藝難度系數高,對電鍍槽液成份和溫度的控制要求很高,并且存在電鍍液污染等問題,很難滿足環保要求。為了解決上述現有技術中存在的問題,廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款帶有金錫焊料的單層芯片電容,其包括金錫焊料層、下電極層、介質層、上電極層。該芯片電容可提高封裝效率,降低封裝成本;工藝簡單,速度可控,生產成本低;全程無污染,而且所制成的金錫焊料在高溫焊接時性能優良,保證了產品的穩定性,適用于工業化生產。

帶有金錫焊料的單層芯片電容的具體制備步驟如下:

一、制備陶瓷基片并清洗烘干;

二、采用蒸鍍或濺射的方式在陶瓷基片上下表面形成電極層;

三、將形成上下電極的陶瓷基片放入真空濺射機內,采用直流濺射的方式濺射金錫焊料層,基片采用自轉和公轉方式;

四、濺射金錫焊料層,靶材采用金與錫的質量比為80:20的金錫合金,腔體加熱溫度為100~500℃,真空度為10-6-10-7mTorr,功率為500W~4000W,時間為50s~1000s,采用X光機或臺階儀監測濺射膜厚,同時采用在線監測系統實時監測濺射膜厚;

五、根據不同陶瓷基片性能的要求,部分基片只需在上電極或下電極表面單面濺射金錫焊料層,部分基片需正反兩面濺射;

六、金錫焊料層濺射完畢后關掉加熱裝置,充入氣體,取出半成品;

七、將半成品進行常規的光刻、刻蝕、電鍍、清洗等工藝處理;

八、切割、測試、分選;

九、產品包裝。





參考數據:

CN110400696A《一種帶有金錫焊料的單層電容器的制造工藝》

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